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三星电子:第二代3纳米和2纳米GAA技术开发均已步入正轨

来源:大半导体产业网    2023-07-27

三星电子内存业务的业绩较上一季度有所改善,第二代3纳米GAA技术和2纳米GAA技术的开发已步入正规。

近日,三星电子在最新的业绩报告中指出,其内存业务的业绩较上一季度有所改善,因为预计AI应用的强劲需求导致DRAM出货量高于指导值,因此该业务重点关注高带宽内存(HBM)和DDR5产品。代工业务也在顺利量产采用GAA技术的第三款产品,同时第二代3纳米GAA技术和2纳米GAA技术的开发也已步入正轨并进展顺利。


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