近日，国家第三代半导体技术创新中心（山西）推进会在太原第一实验室召开，山西省政府、太原市政府、长治市政府、以及中北大学、中科潞安、中电科二等共建单位参加会议。

据悉，科技部围绕国家重大区域发展战略部署，在全国布局国家第三代半导体技术创新中心深圳、南京、苏州、北京、山西、湖南6个分中心，山西平台作为国创中心六大平台的重要一环，对建立健全国家半导体技术创新体系，推动山西省半导体产业发展具有重要作用。

中北大学相关负责人表示，将立足自身优势资源，在本次国创中心建设中，配合牵头单位拓展第三代半导体产业链条，开展产业先导的技术研发，通过项目牵引、产教融合，培养出一批服务于山西省半导体产业的骨干人才，成为山西省未来第三代半导体事业发展的中坚力量。

据介绍，中北大学在第三代半导体技术研究方面有长期积累，开展了硅基GaN-HEMT、SiC基高温集成电路、SiC高温微纳器件、SiC电力电子器件与系统等方面的研究。在器件设计方面，所依托的中北大学微纳加工中心是国内高校范围内技术先进的半导体工艺研发平台。

同时，中北大学在半导体人才培养方面，具有深厚的团队基础，充足的研发经费，先进的平台条件和有效的培养模式，其通过半导体学院、半导体产业技术创新联盟和山西省实验室等平台的建设,与中电科二所等山西省内半导体龙头企业共同开展了半导体装备、半导体发光等领域重点研发计划和揭榜挂帅项目研究。

此外，作为国家第三代半导体技术创新中心（山西）共建单位，中科潞安牵头负责深紫外LED分中心建设，致力于核心芯片与器件、高端制备工艺、源头技术创新、实验室成果中试、应用技术开发升级，支撑和推动我国第三代半导体深紫外LED产业重点突破和整体提升。