当前位置 > 新闻中心 > 热点新闻

西安紫光国芯异质嵌入式DRAM(SeDRAM)最新进展

来源:西安紫光国芯半导体    2021-07-06
近期,西安紫光国芯总裁任奇伟受邀参加“2021 IEEE 13th International Memory Workshop(IMW 2021,国际存储器研讨会) ”的线上会议,并作题为《3D Integration Technology for Embedded DRAM》的专题报告分享。

近期,西安紫光国芯总裁任奇伟受邀参加“2021 IEEE 13th International Memory Workshop(IMW 2021,国际存储器研讨会) ”的线上会议,并作题为《3D Integration Technology for Embedded DRAM》的专题报告分享。

任奇伟代表西安紫光国芯在线分享专题报告

通过对存储系统的市场需求以及未来发展的深入剖析,任总阐释了当前热门的3D集成技术在嵌入式存储器领域的广泛应用,并向与会嘉宾重点介绍了公司最新研发世界领先的超大带宽、超低功耗内嵌存储器解决方案——异质嵌入式DRAM(SeDRAM)。

相比传统的嵌入式SRAM和DRAM存储器(eSRAM和eDRAM),SeDRAM采用纳米级互连技术将DRAM晶圆和不同工艺晶圆在垂直方向上互联,实现对存储器的直接访问;通过定制的DRAM设计支持多种容量(64MB、128MB、256MB到8GB)和多种带宽;同时为不同的工艺提供标准化接口和测试IP,使SoC能够方便简单地集成。


SeDRAM技术与传统集成技术优势对比

SeDRAM可实现超大带宽、超低功耗、超大容量的嵌入式DRAM,在超算、大数据分析、人工智能、智能物联网等应用领域具有广阔应用前景。同时,基于SeDRAM技术西安紫光国芯已成功开发多款产品,并成功实现世界首款大规模量产芯片。

相关技术论文已在2020 IEDM(IEEE InternationalElectron Device Meeting)和2021 CICC(IEEE CustomIntegrated Circuits Conference)上公开发表。

依托开放式、定制化、平台式的合作模式,西安紫光国芯凭借多年的DRAM开发量产能力和SoC设计服务的能力,将帮助有大带宽、低功耗、高算力需求的客户迅速开发产品并推向市场。


     Copy right©2007:All Reserved. 国家集成电路设计西安产业化基地 
办公地址:陕西省西安市高新技术产业开发区科技二路77号光电园二层北 办公电话:029-88328230 传真:029-88316024
                     陕ICP备 19002690号 陕公安网备 61019002000194号